發(fā)布時間:2022-05-06 11:11:22 人氣:2419
通信用高頻開關(guān)電源向集成化、小型化是未來發(fā)展的主要趨勢,功率密度將越來越大,對工藝的要求也會越來越高。目前,通信用高頻開關(guān)電源技術(shù)的發(fā)展主要有以下幾個方面:變換器拓?fù)洹⒔Ec仿真、數(shù)字化控制及磁集成。
1.變換器拓?fù)?/span>
近年來,軟開關(guān)技術(shù)、功率因數(shù)校正技術(shù)及多電平技術(shù)是變換器拓?fù)浞矫娴臒狳c。采用軟開關(guān)技術(shù)可以有效的降低通信用高頻開關(guān)電源損耗和開關(guān)應(yīng)力,有助于變換器效率的提高;采用PFC技術(shù)可以提高AC/DC變換器的輸入功率因數(shù),減少對電網(wǎng)的諧波污染;多電平技術(shù)主要應(yīng)用在通信電源三相輸入變換器中,可以有效降低開關(guān)管的電壓應(yīng)力。同時由于輸入電壓高,采用適當(dāng)?shù)能涢_關(guān)技術(shù)以降低開關(guān)損耗,是多電平技術(shù)將來的重要研究方向。
為了降低變換器的體積,需要提高開關(guān)頻率而實現(xiàn)高的功率密度,使用較小尺寸的磁性材料及被動元件,但是提高頻率將使MOSFET的開關(guān)損耗與驅(qū)動損耗大幅度增加,而軟開關(guān)技術(shù)的應(yīng)用可以降低開關(guān)損耗。目前的通信電源工程應(yīng)用最為廣泛的是有源鉗位ZVS技術(shù)、ZVS移相全橋技術(shù)及同步整流技術(shù)。
有源箝位技術(shù)歷經(jīng)三代:第一代的有源箝位ZVS技術(shù),將DC/DC的工作頻率提高到1MHZ,功率密度接近200W/in3,然而其轉(zhuǎn)換效率未超過90%。第二代的有源箝位技術(shù),采用P溝道MOSFET,并在變壓器二次側(cè)用于forward電路拓?fù)涞挠性大槲?,這使產(chǎn)品成本減低很多。但這種方法形成的MOSFET的零電壓開關(guān)(ZVS)邊界條件較窄,而且PMOS工作頻率也不理想。第三代有源箝位技術(shù),在第二代有源箝位的基礎(chǔ)上將磁芯復(fù)位時釋放出的能量轉(zhuǎn)送至負(fù)載,所以實現(xiàn)了更高的轉(zhuǎn)換效率。它共有三個電路方案:其中一個方案可以采用N溝MOSFET,因而工作頻率可以更高,采用該技術(shù)可以將ZVS軟開關(guān)、同步整流技術(shù)都結(jié)合在一起,因而其實現(xiàn)了高達(dá)92%的效率及250W/in3以上的功率密度。
ZVS移相全橋軟開關(guān)技術(shù)技術(shù)在MOSFET的開關(guān)速度不太理想時,對變換器效率的提升起了很大作用,但其缺點也不少。第一個缺點是增加一個諧振電感,其導(dǎo)致一定的體積與損耗,并且諧振電感的電氣參數(shù)需要保持一致性,這在制造過程中是比較難控制的;第二個缺點是丟失了有效的占空比。此外,由于同步整流更便于提高變換器的效率,而移相全橋?qū)Χ蝹?cè)同步整流的控制效果并不理想。最初的PWMZVS移相全橋控制器,UC3875/9及UCC3895僅控制初級,需另加邏輯電路以提供準(zhǔn)確的次極同步整流控制信號。現(xiàn)在的移相全橋PWM控制器如LTC1922/1、LTC3722-1/-2,雖然已增加二次側(cè)同步整流控制信號,但仍不能有效地達(dá)到二次側(cè)的ZVS/ZCS同步整流,但可以有效地提高變換器效率。LTC3722-1/-2可以減小諧振電感的電感量,這不僅降低了諧振電感的體積及其損耗,占空比的丟失也所改進(jìn)。
同步整流包括自驅(qū)動與外部驅(qū)動。自驅(qū)動同步整流方法簡單易行,但是次級電壓波形容易受到變壓器漏感等諸多因素的影響,造成批量生產(chǎn)時可靠性較低而較少應(yīng)用于實際產(chǎn)品中。對于12V以上至20V左右輸出電壓的變換則多采用專門的外部驅(qū)動IC,這樣可以達(dá)到較好的電氣性能與更高的可靠性。
建模與仿真
開關(guān)型變換器主要有小信號與大信號分析兩種建模方法。
小信號分析法:主要是狀態(tài)空間平均法,可以說這是電力電子學(xué)領(lǐng)域建模分析的第一個真正意義的重大突破。后來出現(xiàn)的如電流注入等效電路法、等效受控源法、三端開關(guān)器件法等均屬于電路平均法的范疇。平均法的缺點是明顯的,對信號進(jìn)行了平均處理而不能有效地進(jìn)行紋波分析;不能準(zhǔn)確地進(jìn)行穩(wěn)定性分析;對諧振類變換器可能不大適合;關(guān)鍵的一點是,平均法所得出的模型與開關(guān)頻率無關(guān),且適用條件是電路中的電感電容等產(chǎn)生的自然頻率必須要遠(yuǎn)低于開關(guān)頻率,準(zhǔn)確性才會較高。
大信號分析法:有解析法,相平面法,大信號等效電路模型法,開關(guān)信號流法,n次諧波三端口模型法,KBM法及通用平均法、等效小參量信號分析法。
建模的目的是為了仿真,繼而進(jìn)行穩(wěn)定性分析。近30年來,在開關(guān)電源的平均SPICE模型的建模方面,許多學(xué)者都建立了各種各樣的模型理論,從而形成了各種SPICE模型。這些模型各有所長,比較有代表性的有:Dr.SamBenYaakov的開關(guān)電感模型;Dr.RayRidley的模型;基于Dr.VatcheVorperian的Orcad9.1的開關(guān)電源平均Pspice模型;基于StevenSandler的ICAP4的開關(guān)電源平均Isspice模型;基于Dr.VincentG.Bello的Cadence的開關(guān)電源平均模型等等。在使用這些模型的基礎(chǔ)上,結(jié)合變換器的主要參數(shù)進(jìn)行宏模型的構(gòu)建,并利用所建模型構(gòu)成的DC/DC變換器在專業(yè)的電路仿真軟件(Matlab、Pspice等)平臺上進(jìn)行直流分析、小信號分析以及閉環(huán)大信號瞬態(tài)分析。
數(shù)字化控制
數(shù)字化的簡單應(yīng)用主要是保護(hù)與監(jiān)控電路,以及與系統(tǒng)的通信,目前已大量地應(yīng)用于通信用高頻開關(guān)電源中。其可以取代很多模擬電路,完成電源的起動、輸入與輸出的過、欠壓保護(hù)、輸出的過流與短路保護(hù),及過熱保護(hù)等,通過特定的介面電路,也能完成與系統(tǒng)間的通訊與顯示。
數(shù)字化的更先進(jìn)應(yīng)用包含不但實現(xiàn)完善的保護(hù)與監(jiān)控功能,也能輸出PWM波,通過驅(qū)動電路控制功率開關(guān)器件,并實現(xiàn)閉環(huán)控制功能。現(xiàn)階段通信電源的數(shù)字化主要采取模擬與數(shù)字相結(jié)合的形式,PWM部分仍然采用專門的模擬芯片,而DSP芯片主要參與占空比控制,和頻率設(shè)置、輸出電壓的調(diào)節(jié)及保護(hù)與監(jiān)控等功能。
數(shù)字控制可以提高系統(tǒng)的靈活性,提供更好的通信介面、故障診斷能力、及抗干擾能力。但是,在精密的通信電源中,控制精度、參數(shù)漂移、電流檢測與均流,及控制延遲等因素將是需要急待解決的實際問題。
磁集
隨著開關(guān)頻率的提高,開關(guān)變換器的體積隨之減少,功率密度也得到大幅提升,但開關(guān)損耗將隨之增加,并且將使用更多的磁性器件,因而占據(jù)更多的空間。
自1995年至今,美國電力電子系統(tǒng)并中心(CPES)對磁性器件集成作了很多的研究工作,使用耦合電感的概念對多相BUCK電感集成做了深入研究,且應(yīng)用于各種不同類型的變換器中。
常規(guī)的磁性元件設(shè)計方法極其繁瑣且需要從不同的角度來考慮,如磁心的大小選擇,材質(zhì)與繞組的確定,及鐵損和銅損的*估等。但是磁集成技術(shù)除此之外,還必須考慮磁通不平衡的問題,因為磁通分布在鐵心的每一部分其等效總磁通量是不同的,有些部分可能會提前飽和。因此,磁性器件集成的分析與研究將會更加復(fù)雜與困難。但是,其所帶來的高功率密度的優(yōu)勢,必是將來通信用高頻開關(guān)電源的一大發(fā)展趨勢。
制造工藝
通信用高頻開關(guān)電源的制造工藝相當(dāng)復(fù)雜,并且直接影響到電源系統(tǒng)的電氣功能、電磁兼容性及可靠性,而可靠性是通信電源的首要指標(biāo)。生產(chǎn)制造過程中完備的檢測手段,齊全的工藝監(jiān)控點與防靜電等措施的采用在很大程度上延續(xù)了產(chǎn)品最佳的設(shè)計性能,而SMD貼片器件的廣泛使用將可以大大提高焊接的可靠性。歐美國家從2006年起對電子產(chǎn)品要求無鉛工藝,這對通信電源中器件的選用及生產(chǎn)制造過程的控制提出更高、更嚴(yán)格的要求。
目前最為吸引的技術(shù)是美國電力電子系統(tǒng)中心(CPEC)在近幾年提出的電力電子集成模塊(IPEM)的概念,俗稱“積木”。采用先進(jìn)的封裝技術(shù)而降低寄生因素以改進(jìn)電路中的電壓振鈴與效率,將驅(qū)動電路與功率器件集成在一起以提高驅(qū)動的速度因而降低開關(guān)損耗。電力電子集成技術(shù)不僅能夠改進(jìn)瞬態(tài)電壓的調(diào)節(jié),也能改進(jìn)功率密度與系統(tǒng)的效率。但是,這樣的集成模塊目前存在許多挑戰(zhàn),主要是被動與主動器件的集成方式,并且較難達(dá)到最佳的熱設(shè)計。
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